Intel zaprezentował właśnie gwóźdź do trumny tradycyjnych dysków twardych

News/Sprzęt 27.03.2015
Intel zaprezentował właśnie gwóźdź do trumny tradycyjnych dysków twardych

Intel zaprezentował właśnie gwóźdź do trumny tradycyjnych dysków twardych

Właśnie dowiedzieliśmy się, jak będzie wyglądać przyszłość dysków SSD. Wszystko dzięki konferencji Intela oraz Microna, na której zaprezentowano szczegółowe informacje na temat nowej generacji pamięci flash o nazwie 3D NAND.

Wiadomo już, że pierwsza generacja pamięci wykonana w tej technologii będą to 32-warstwowe kości MLC o pojemności 256 Gbit (32 GB). Możliwe będzie też wykonanie kości TLC o pojemności 384 Gbit (48 GB). Rdzeń (składowa kości) takiej pamięci będzie podzielony aż na cztery płaszczyzny.

Zabieg ten zastosowano, by utrzymać dużą pojemność pamięci wraz z jej wysoką wydajnością. Liczba płaszczyzn przekłada się na liczbę stron, które jedna komórka może zapisać. Dzieje się tak, ponieważ w normalnych warunkach jeden rdzeń pozwala zapisać jedną stronę jednocześnie. Chyba że podzieli się ją na płaszczyzny. To z kolei umożliwia programowanie większej liczby stron.

ssd budowa

Zatem w tym wypadku możliwe jest zapisywanie 4 stron jednocześnie, a nie 2 jak do tej pory. Dlatego mimo że takie wielopłaszczyznowe programowanie powoduje powstawanie pewnych opóźnień, to duży wzrost wydajności rekompensuje je z nawiązką. Rozwiązanie to jest o tyle istotne, że w ostatnich latach  znacznie zwiększyła się pojemność kości pamięci. Co ma jedno wspólnego z drugim? Już tłumaczę.

Jeśli przyjmiemy, że obecnie stosuje się rdzenie o pojemności 16 GB, to dysk o pojemności 256 GB będzie wyposażony w 16 rdzeni. Jako że większość z nich jest podzielona na dwie płaszczyzny, jeden rdzeń będzie mógł zapisać maksymalnie 32 strony w tym samym momencie. Dzięki zastosowaniu czterech płaszczyzn ten sam dysk będzie mógł zaprogramować aż 64 strony. To istotna różnica w wydajności.

3dnand-100575618-large

Wyjątkowo ważna jest też liczba elektronów, które mogą przebiegać po danej powierzchni.

Jeśli wiecie co-nieco o trójwymiarowych tranzystorach Intela, zapewne pamiętacie, że są one wydajniejsze od swoich płaskich odpowiedników, bo mają większą aktywną powierzchnię, po której mogą przesuwać się elektrony. Tak samo jest w przypadku opisywanych tu pamięci. Dzięki większej powierzchni, po której mogą przesuwać się ładunki pamięć będzie pracować szybciej.

Warto pamiętać, że obniżając proces technologiczny pamięci obniżała się jej powierzchnia i liczba podróżujących przez nią elektronów. Dzięki zastosowaniu technologii trójwymiarowej możliwe ma być aż 10-krotne zwiększenie liczby elektronów, co przełoży się nie tylko na wydajność pamięci, ale też jej żywotność.

Intel elektrony

Jaka jest dokładna wytrzymałość dysków wyposażonych w ten typ pamięci? Trudno powiedzieć. Według oficjalnych dokumentów dysk taki ma działać przez 3000 cykli zapisu i kasowania, czyli bardzo niewiele. Wynik taki został wpisany  jednak tylko ze względu na brak czasu na dokładne sprawdzenie nowych typów pamięci oraz fakt, że 3000 cykli jest liczbą wystarczającą dla większości osób.

W praktyce nowy rodzaj pamięci może wytrzymywać nawet więcej niż 10 000 cykli – jak podaje serwis Anandtech.

No dobra, ale co to da w praktyce?

Intel i Micron zdecydowali się też podać kilka praktycznych przykładów zastosowania nowego typu pamięci w dyskach SSD. Najważniejsza i jedyna istotna to fakt, że dzięki nowemu rodzajowi pamięci dyski SSD staną się trzy razy bardziej pojemne niż obecnie i będzie możliwe stworzenie nawet 10-terabajtowego nośnika tego typu. Oczywiście jasne jest, że taki dysk nie będzie należał do tanich, ale z czasem jego cena będzie się zmniejszać. Wtedy okaże się, że jedyna wada dysków SSD zniknie. Tak jak dyski talerzowe, które po prostu przestaną być potrzebne.

*Zdjęcie główne pochodzi z serwisu Shutterstock.

Dołącz do dyskusji

Advertisement